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近代物理研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
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Contributions of N+, N-2(+), NO+ Ion Implantation to p-Type Conversion of ZnO:Al Films
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2011, 卷号: 39, 页码: 711-716
作者:
Li, Zebin
;
Liang, Rongqing
;
Ou, Qiongrong
;
Zhang, Shuyu
;
He, Long
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提交时间:2018/05/31
N-Al codoping
plasma immersion ion implantation (PIII)
p-type ZnO
p-Type Conversion of ZnO Thin Films by Plasma Immersion Ion Implantation
期刊论文
OAI收割
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2009, 卷号: 12, 页码: H329-H332
作者:
Zhang, Shuyu
;
Liang, Rongqing
;
Ou, Qiongrong
;
Wu, Xiaojing
;
Jiang, Meifu
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提交时间:2018/05/31
aluminium
annealing
doping profiles
electrical resistivity
hole density
hole mobility
II-VI semiconductors
nitrogen
plasma immersion ion implantation
semiconductor doping
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds