机构

• 上海应用物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [2]

学科主题

• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RARE EARTHS, 2004, 卷号: 22, 页码: 26 Chen, CC（陈长春）; Liu, ZH; Huang, WT; Dou, WZ; Xiong, XY; Zhang, W（张伟）; Peihsin, T; Cao, JQ（曹建清） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/05/11 strain relaxation  UHVCVD  ion implantation  SiGe   Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate 会议论文  OAI收割 8th China-Korea Workshop on Advanced Materials, Chengdu, PEOPLES R CHINA, AUG 02-03, 2004 Chen, CC（陈长春）; Liu, ZH; Huang, WT; Dou, WZ; Xiong, XY; Zhang, W（张伟）; Peihsin, T; Cao, JQ（曹建清） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/06/06