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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [32]
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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of iron transformation on Acidithiobacillus ferrooxidans bio-leaching of clay vanadium residue 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY, 2019, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 796, 805 作者:  Feng, YL;  Wang, HJ;  Li, HR;  Chen, XP;  Du, ZW   |  收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2019/06/14 iron ion cycle  OXIDATION  Acidithiobacillus ferrooxidans  CHEMISTRY  passivation  JAROSITE  cyclic valtammetry  clay vanadium   The TOP-SCOPE Survey of Planck Galactic Cold Clumps: Survey Overview and Results of an Exemplar Source, PGCC G26.53+0.17 期刊论文  OAI收割 ASTROPHYSICAL JOURNAL SUPPLEMENT SERIES, 2018, 卷号: 234, 期号: 2 作者:  Liu, Tie;  Kim, Kee-Tae;  Juvela, Mika;  Wang, Ke;  Tatematsu, Ken'ichi   |  收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2018/06/08 Ism: Abundances  Ism: Clouds  Ism: Kinematics And Dynamics  Stars: Formation  Surveys   Acidithiobacillus ferrooxidans: performances on the low-grade polymetallic oxidized-manganese and sulfur-nickel ores redox system 期刊论文  OAI收割 METALLURGICAL RESEARCH & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 115, 期号: 6 作者:  Kang, JX;  Feng, YL;  Li, HR;  Du, ZW;  Deng, XY   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/12/29 Simultaneous Bioleaching  Metals  Acidithiobacillus Ferrooxidans  Copper  Polymetallic Nodule  Low-grade Nickel Sulfide Ore  Potential Difference   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：195/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：174/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：141/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN  high electron mobility transistor (HEMT)  Si (111)   The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：114/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY