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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [4]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
1998 [6]
学科主题
半导体物理 [4]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001)
期刊论文
iSwitch采集
Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88
作者:
Zou, LF
;
Acosta-Ortiz, SE
;
Zou, LX
;
Regalado, LE
;
Sun, DZ
收藏
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Implantation
Ge ion
Bf2 ion
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of si1-xgex/si superlattice materials
期刊论文
iSwitch采集
Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 93-96
作者:
Zou, LF
;
Acosta-Ortiz, SE
;
Zou, LX
;
Regalado, LE
;
Sun, DZ
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提交时间:2019/05/12
Gas source molecular beam epitaxy
Thermal stability
Si1-xgex
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
会议论文
OAI收割
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/15
STRAIN RELAXATION
HETEROSTRUCTURES
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
期刊论文
OAI收割
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 93-96
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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提交时间:2010/08/12
gas source molecular beam epitaxy
thermal stability
Si1-xGex
HETEROSTRUCTURES
STRAIN RELAXATION
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
OAI收割
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
OAI收割
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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提交时间:2010/11/15
ELECTRICAL-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS