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GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 17, 页码: 175301
Xiren Chen
;
Junliang Xing
;
Liangqing Zhu
;
F.-X. Zha
;
Zhichuan Niu
;
Shaoling Guo
;
Jun Shao
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提交时间:2017/03/16
Modulation mechanism of infrared photoreflectance in narrow-gap HgCdTe epilayers: A pump power dependent study
期刊论文
OAI收割
Journal of applied physcis, 2010, 卷号: 108
作者:
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提交时间:2011/08/30
Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance:Probe of vertical nonuniformity of HgCdTe on GaAs
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96
作者:
Jun Shao, Lu Chen, Wei Lu, Xiang Lü, Liangqing Zhu, Shaoling Guo, Li He, and Junhao Chu1
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提交时间:2011/09/13
Electron transport in the AlGaAs/InGaAs double-heterostructure pseudomorphic high-electron-mobility transistor
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 76, 期号: 10
作者:
Yongsheng Gui
;
Shaoling Guo
;
Guozhen Zheng
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提交时间:2011/11/30