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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1997 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation
期刊论文
OAI收割
compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 255-258
Novikov SV
;
Kipshidze GD
;
Lebedev VB
;
Sharonova LV
;
Shik AY
;
Tretyakov VV
;
Jmerik VN
;
Kuznetsov VM
;
Gurevich AM
;
Zinovev NN
;
Foxon CT
;
Cheng TS
;
Ren GB
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提交时间:2010/11/17
NITRIDES
GROWTH
Mbe of gan with dc-plasma source for nitrogen activation
期刊论文
iSwitch采集
Compound semiconductors 1996, 1997, 期号: 155, 页码: 255-258
作者:
Novikov, SV
;
Kipshidze, GD
;
Lebedev, VB
;
Sharonova, LV
;
Shik, AY
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提交时间:2019/05/12