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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
武汉物理与数学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2015 [1]
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共2条,第1-2条
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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
OAI收割
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
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提交时间:2019/03/27
An ultrasmall and metabolizable PEGylated NaGdF4:Dy nanoprobe for high-performance T-1/T-2-weighted MR and CT multimodal imaging
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15680-15688
作者:
Jin, Xiaoying
;
Fang, Fang
;
Liu, Jianhua
;
Jiang, Chunhuan
;
Han, Xueli
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提交时间:2015/11/03