机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2006 [1]
• 2002 [3]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Characterization of Graphene TFET for Subterahertz Oscillator 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 7, 页码: 2956-2962 Xurui Mao; Beiju Huang; Xu Zhang; Niefeng Sun; Chuantong Cheng; Sheng Gan; Zhaoxin Geng; Hongda Chen 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/16 Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文  OAI收割 12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006 Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Dong, HW (Dong, Hongwei); Sun, NF (Sun, Niefeng); Sun, TN (Sun, Tongnian) 收藏  |  浏览/下载：65/12  |  提交时间：2010/03/29 STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  FE-DOPED INP  POINT-DEFECTS  COMPENSATION  TEMPERATURE  DONORS  TRAPS   Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458 Zhao Youwen; Sun Niefeng; S. Fung; C. D. Beling; Sun Tongnian; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289 Zhao Youwen; Dong Hongwei; Jiao Jinghua; Zhao Jianqun; Lin Lanying; Sun Niefeng; Sun Tongnian 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5 Zhao Youwen; Luo Yilin; Sun Niefeng; S Fung; Beling C D; Sun Tongnian; Lin Lanyin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23