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III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
作者:  
KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI
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Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8594145, 申请日期: 2013-11-26, 公开日期: 2013-11-26
作者:  
TAKAGI, SHIMPEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  KATAYAMA, KOJI;  UENO, MASAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/13