机构

• 上海技术物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2004 [1]
• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrical Properties of Melt-Epitaxy-Grown InAs0:04Sb0:96 Layerswith Cutoff Wavelength of 12μm 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics Part 1-regular Papers Short Notes & Review Papers, 2004, 卷号: 43, 期号: 3 作者:  Yu Zhu GAO;  Xiu Ying GONG;  Yong Sheng GUI;  Tomuo YAMAGUCHI1 and Ning DAI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/11/30 InNAsSb Single Crystals with Cutoff Wavelength of 11–13.5μm Grown by Melt Epitaxy 期刊论文  OAI收割 Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 7A 作者:  Yu Zhu GAO;  Tomuo YAMAGUCHI;  Xiu Ying GONG;  Hirofumi KAN;  Mitsuru AOYAMA   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/11/30