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形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔 专利  OAI收割
专利号: CN101553962A, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 2009-10-07
作者:  
A·A·贝法;  W·兰斯
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半导体结构 专利  OAI收割
专利号: CN1416590A, 申请日期: 2003-05-07, 公开日期: 2003-05-07
作者:  
珈玛尔·拉丹尼;  拉艾德兰斯·德鲁帕德;  林迪·L·西尔特;  科特·W·埃森贝瑟
  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/01/18