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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
2016 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope
期刊论文
OAI收割
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468–7472
作者:
Xiantong Zheng
;
Wei Huang
;
Hongwei Liang
;
Ping Wang
;
Yu Liu
;
Zhaoying Chen
;
Ping Liang
;
Mo Li
;
Jian Zhang
;
Yonghai Chen
;
Xinqiang Wang
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提交时间:2019/11/14
Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 46420
作者:
Dingyu Ma
;
Xin Rong
;
Xiantong Zheng
;
Weiying Wang
;
Ping Wang
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2018/05/23
Reflectance difference spectroscopy microscope for circular defects on InN films
期刊论文
OAI收割
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 15059-15070
Wei Huang
;
Yu Liu
;
Laipan Zhu
;
Xiantong Zheng Yuan Li
;
Qing Wu
;
Yixin Wang
;
Xinqiang Wang
;
Yonghai Chen
收藏
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提交时间:2017/03/10