机构

• 半导体研究所 [25]
• 物理研究所 [7]
• 高能物理研究所 [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 南京土壤研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [35]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [36]

发表日期

• 2022 [1]
• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 1997 [6]
• 1996 [4]
• 1995 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [13]
• 半导体物理 [11]

筛选

浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ag/MnO2/GO/PPy Nanocomposites with Tunable Micro-mesoporous Structures for High-Performance Supercapacitor Electrodes 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2022, 卷号: 5, 期号: 11, 页码: 17078-17086 作者:  Xing, EH;  Cui, RL;  Guo, XH;  Liu, Y;  Liu, JL   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/11/09 3D graphene  micro-mesoporosity  polypyrrole  MnO2  Ag  nanocomposite  supercapacitor   Five new alkaloids from Aconitum apetalum (Ranunculaceae) 期刊论文  OAI收割 PHYTOCHEMISTRY LETTERS, 2019, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 6-11 作者:  Hu, ZX (Hu, Zhan-Xing)[ 1,2,3,4,5,6 ];  Tang, HY (Tang, Hong-Yu)[ 2,7 ];  Yan, XH (Yan, Xiao-Hui)[ 8 ];  Zeng, YR (Zeng, Yan-Rong)[ 4,5,6 ];  Aisa, HA (Aisa, Haji Aker)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2019/02/25 Aconitum apetalum  Diterpenoid alkaloids  Aporphine alkaloids  Anti-TMV  Antimicrobial   Supermassive Black Holes with High Accretion Rates in Active Galactic Nuclei. VIII. Structure of the Broad-line Region and Mass of the Central Black Hole in Mrk 142 期刊论文  OAI收割 ASTROPHYSICAL JOURNAL, 2018, 卷号: 869, 期号: 2, 页码: 137 作者:  Qiu J(邱捷);  宋盛雨央;  Li YR(李彦荣);  Wang JM(王建民);  Li, YR   |  收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2019/10/11 black hole physics  galaxies: active  galaxies: individual (Mrk 142)  quasars: general   Electron diffraction and photoemission studies of clean and water-covered Si(5,5,12) and Si(112) surfaces 期刊论文  OAI收割 SURFACE REVIEW AND LETTERS, 1997, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 15 Ranke, W; Xing, YR 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  MILLER INDEX SURFACES  ATOMIC-STRUCTURE  ADSORPTION  SILICON  H2O  LEED  SI  MODEL   The structures and transformations on Si(113) surface 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1997, 卷号: 120, 期号: 1-2, 页码: 94 Feng, KA; Mu, XM; Lin, ZD; Xing, YR 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/23 ATOMIC-STRUCTURE  RECONSTRUCTION  DIAMOND  SI  SILICON  HYDROGEN  SI(100)  LEED  STM  GE   Kinetics of dissociative water adsorption on stepped Si(001), on Si(115), Si(113), Si(5,5,12) and Si(112) 期刊论文  OAI收割 SURFACE SCIENCE, 1997, 卷号: 381, 期号: 1, 页码: 1 Ranke, W; Xing, YR 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/18 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  CYLINDRICAL SILICON CRYSTAL  MILLER INDEX SURFACES  ROOM-TEMPERATURE  VICINAL SURFACES  ATOMIC-STRUCTURE  H2O  SI(100)  CHEMISORPTION  LEED   Electron diffraction and photoemission studies of clean and water-covered Si(5,5,12) and Si(112) surfaces 期刊论文  OAI收割 surface review and letters, 1997, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 15-23 Ranke W; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  MILLER INDEX SURFACES  ATOMIC-STRUCTURE  ADSORPTION  SILICON  H2O  LEED  SI  MODEL   The structures and transformations on Si(113) surface 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98 Feng KA; Mu XM; Lin ZD; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/17 ATOMIC-STRUCTURE  RECONSTRUCTION  DIAMOND  SI  SILICON  HYDROGEN  SI(100)  LEED  STM  GE   Kinetics of dissociative water adsorption on stepped Si(001), on Si(115), Si(113), Si(5,5,12) and Si(112) 期刊论文  OAI收割 surface science, 1997, 卷号: 381, 期号: 1, 页码: 1-11 Ranke W; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 adsorption kinetics  low energy electron diffraction  low index single crystal surfaces  silicon  surface structure  morphology  roughness  and topography  vicinal single crystal surfaces  visible and ultraviolet photoelectron spectroscopy  water  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  CYLINDRICAL SILICON CRYSTAL  MILLER INDEX SURFACES  ROOM-TEMPERATURE  VICINAL SURFACES  ATOMIC-STRUCTURE  H2O  SI(100)  CHEMISORPTION  LEED   A surface structure model for Si(337) 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1996, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 217 Hu, XM; Wang, EG; Xing, YR 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 SI(113) SURFACE  GROWTH  SI