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	Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides 期刊论文 OAI收割 Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530 作者: Y.Chen; Y.P.Jia; Z.M.Shi; X.J.Sun; D.B.Li \| 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2020/08/24 gan,layer,aln,Engineering,Materials Science
	Plasmon reflection reveals local electronic properties of natural graphene wrinkles 期刊论文 OAI收割 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 5 作者: R.K.Chen; C.Yang; Y.P.Jia; L.W.Guo; J.N.Chen \| 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2020/08/24 graphene plasmons,wrinkle,reflection,electronics,raman-spectroscopy,graphite,Physics
	Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文 OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者: Z.M.Shi; X.J.Sun; Y.P.Jia; X.K.Liu; S.L.Zhang \| 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
	Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文 OAI收割 Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873 作者: K.Jiang; X.J.Sun; J.W.Ben \| 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2020/08/24 potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion