中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

条数/页: 排序方式:
Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集
Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
作者:  
Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/05/12
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK
收藏  |  浏览/下载:141/0  |  提交时间:2010/08/12