机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 传感器网络技术与标准化连载(二) 传感器网络系统架构与标准体系分析 期刊论文  OAI收割 信息技术与标准化, 2009, 期号: 12 沈杰; 邢涛 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  SIMOX  Pseudo-MOSFET  隐埋氧化层   超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 张帅 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/06 SOI  　全耗尽  　总剂量效应  　Pseudo-MOSFET  　硅纳米晶体　   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm mosfets 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 作者:  Jiang, Xiang-Wei;  Deng, Hui-Xiong;  Luo, Jun-Wei;  Li, Shu-Shen;  Wang, Lin-Wang 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2019/05/12 Dopant fluctuation  Linear combination of bulk band (lcbb)  Mosfet  Quantum mechanical  Threshold  3-d   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：167/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D