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内容类型

• 期刊论文 [12]
• 学位论文 [4]

发表日期

• 2018 [2]
• 2016 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [2]
• 天文和天体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ];  Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ];  Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/11/20 Sige Hbt  Synergistic Effect  Single Event Effects  Total Ionizing Dose   Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 1251-1258 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jinxin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chaohui) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2016/12/12 Bias conditions  Co-60 gamma irradiation  SiGe HBT  total ionizing dose effect   SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  李培   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/15 不同结构sige Hbt  单粒子效应  三维数值模拟仿真  激光微束试验  伪集电极加固   A single-event transient induced by a pulsed laser in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 56103 作者:  Sun Ya-Bin;  Fu Jun;  Xu Jun;  Wang Yu-Dong;  Zhou Wei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/10/29 single event transient (SET)  pulsed laser  charge collection  SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT)   SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   垂直型同轴-微带转接技术研究及中频系统研制 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院, 2009 刘凯 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/07/03 转接头  边带分离  HEMT 中频系统  SiGe  HBT  Hybrid   SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  　含有硅化物埋层的SOI材料  　SiGe HBT  　三维电路　   The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Gsmbe  Sige alloy  Doping  Sims  Hbt  Current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain