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机构
沈阳自动化研究所 [2]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [2]
2006 [1]
学科主题
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共3条,第1-3条
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深亚微米级VLSI低功耗设计技术研究
学位论文
OAI收割
沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2008
作者:
杨松
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提交时间:2010/11/29
低泄漏功耗
睡眠晶体管
亚阈值泄漏
栅氧化层厚度
45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 89-92
作者:
王宏
;
杨志家
;
杨松
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提交时间:2010/11/29
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003
作者:
吴峻峰
;
李多力
;
毕津顺
;
薛丽君
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提交时间:2010/05/26
亚阈值泄漏电流
H型栅
Pmosfet