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	COD检测方法探讨 CNKI期刊论文 OAI收割 2022 作者: 孙楠思; 李若溪; 曹敏 \| 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2024/12/18 监测方法 COD 比较优点
	浅析双车可变螺距螺旋桨导流罩的优点期刊论文 OAI收割珠江水运, 2018, 期号: 17, 页码: 80-82 作者: 孙燕辉 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2021/11/23 双车船螺旋桨导流罩优点
	基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征学位论文 OAI收割硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 荣梓清收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2016/04/27 由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移 D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙且分子偶极矩较大分子间相互作用较强利于获得高的载流子迁移率因此 D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面稠环分子由于具有刚性平面的构型重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此本文以二噻吩并[2 3-b:7 6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3 2-b:6 7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物并且对它们的光物理性质电化学性质载流子传输和光伏特性进行了系统研究主要成果和创新点如下：（1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2) 它们均是无定形聚合物。尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。通过理论模拟可以发现两个聚合物骨架构象完全不同 P(BT-C1)的骨架较为弯曲而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高达到5.4×10-3 cm2V-1s-1 而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右因此基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1) 而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多均在5%左右。（2）以C2为给体单元 BT和二氟代BT为受体单元合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比 P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性 HOMO能级升高光谱红移。在BT单元上引入F原子后聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV 同时帯隙变窄。理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低 PCE均小于2%。
	自适应Kalman滤波在钟差数据处理中的应用会议论文 OAI收割第三届中国卫星导航学术年会, 中国广东广州, 2012 宋会杰; 屈俐俐收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2012/10/19 钟差模型自适应Kalman滤波\|Abstract Kalman滤波算法作为一种最优预测算法在原子钟的钟差处理中得到广泛应用自适应滤波是一种具有抑制滤波器发散作用的滤波方法在算例中采用铯原子钟提供的钟差数据进行预报结果表明自适应Kalman滤波算法具有较高的预报精度同时自适应Kalman滤波算法对奇异值无需处理的优点将减少人为对数据处理过程的干预提高了系统的可靠性。
	性格优点：创造美好生活的心理资本期刊论文 OAI收割心理科学进展, 2010, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 1161-1167 作者: 张宁; 张雨青 \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2011/10/10 性格优点遗传主观幸福感创伤后成长积极心理学
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	基于USB接口的高精度频率源设计会议论文 OAI收割第十七届全国测控计量仪器仪表学术年会（MCMI'2012）, 中国福建厦门, 2007-10 施韶华; 李孝辉; 黄宁收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2012/10/19 频率源直接数字频率合成通用串行总线 AD9852\|Abstract 直接数字频率合成技术(DDS)具有频率分辨率高相位噪声低频谱好等优点。本文通过对USB协议和DDS技术的研究和分析设计实现了一种采用DDS技术并符合USB总线HID规范的高精度频率源支持即插即用通过主机应用软件对设备进行实时控制可以输出0～120MHz间的任意频率信号频率分辨率可达10-6Hz 相位分辨率为0.02度。