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机构
新疆理化技术研究所 [7]
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OAI收割 [9]
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学位论文 [5]
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辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:
李占行
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提交时间:2017/09/26
晶格失配
位移损伤效应
位移损伤剂量
非电离能损
辐照退化
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
王帆
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提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
测试方法
辐射效应
电离总剂量效应
位移损伤效应
Rts噪声
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
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提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元
COTS器件的空间辐射效应与对策分析
期刊论文
OAI收割
电子元件与材料, 2015, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 1-4
作者:
贾文远
;
安军社
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提交时间:2016/04/22
COTS器件
空间辐射
综述
单粒子效应
总剂量效应
位移损伤效应
防护措施
CLAM钢样品三束同时辐照研究
期刊论文
OAI收割
中国原子能科学研究院年报, 2011, 期号: 0, 页码: 128-129
作者:
郑永男
;
张鹏(多正)
;
左翼
;
范平
;
张乔丽
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提交时间:2015/12/25
马氏体钢
核设施
结构材料
CLAM
机械方法
多普勒展宽
组份
束流能量
辐照剂量
位移损伤