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含氟丙烯酸酯光刻胶的合成及光刻应用 学位论文 OAI收割
: 中国科学院过程工程研究所, 2022
作者: 陈颖

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含氟聚丙烯酸酯,光刻胶,化聚乙烯亚胺/聚丙烯酸(Bpei/paa),层层自组装,可擦写性

应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展 期刊论文 OAI收割
科学技术与工程, 2016, 期号: 11, 页码: 120-127
作者: 吴义恒

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极紫外光刻光刻胶平衡关系材料设计

基于ZnS金属网栅制作工艺的改进 期刊论文 OAI收割
中国光学, 2014, 期号: 1, 页码: 131-136
陈赟; 李艳茹; 张红胜

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金属网栅多晶ZnS 光刻复制工艺光刻胶

大尺寸玻璃网格板制作工艺的研究 期刊论文 OAI收割
长春理工大学学报(自然科学版), 2013, 期号: Z1, 页码: 10-12
陈赟; 张红胜; 李艳茹

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玻璃网格板计量圆光栅制作工艺光刻胶刻线间距

极紫外光刻离轴照明技术研究 期刊论文 OAI收割
光学学报, 2012, 期号: 12, 页码: 147-152
作者: 金春水; 王丽萍

收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2013/03/11

X射线光学极紫外光刻分辨率增强离轴照明阴影效应光刻胶

碲镉汞双色红外探测芯片的喷涂匀胶技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 尹文婷

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收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2012/09/11

碲镉汞双色红外焦平面探测器高深宽比微结构喷涂匀胶技术光刻胶均匀分布

基于MEMS技术的SU-8仿昆虫微扑翼飞行器设计及制作 期刊论文 OAI收割
机器人, 2011, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 366-370
作者: 迟鹏程; 张卫平; 陈文元; 李洪谊; 孟坤

收藏 | 浏览/下载：54/0 | 提交时间：2012/05/29

微扑翼飞行器 SU- MEMS 仿生机器人光刻胶双翅目昆虫压电驱动器结构设计结构材料仿生学原理

石墨/Li(Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3))O_2电池高温储存后的性能变化 期刊论文 OAI收割
电池, 2010, 期号: 06
李佳; 刘浩涵; 谢晓华; 娄豫皖

收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2012/01/06

边缘效应电化学腐蚀机械应力 SU8光刻胶

一种新型聚合物微透镜阵列的制造技术 期刊论文 OAI收割
中国激光, 2009, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 2869-2872
王伟; 周常河

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光学制造微透镜阵列光刻胶热熔法软刻蚀压印技术 optical fabrication microlens array thermal reflow soft lithography imprint technology

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。