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OAI收割 [43]
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光学材料;晶体 [3]
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共43条,第1-10条
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纳秒脉冲激光制备黑硅及其光学性能的研究
期刊论文
OAI收割
量子电子学报, 2024, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 813-821
作者:
王可
;
王梓霖
;
周晓雨
;
黄伟其
;
张铁民
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2025/01/06
激光技术
黑硅
吹氧退火
光致发光谱
反射谱
局域态发光
SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应
期刊论文
OAI收割
2019, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1975-1982
作者:
孙钰琨
;
白波
;
马美玲
;
王洪伦
;
索有瑞
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/11/26
二维薄膜材料
过渡金属硫化物
化学气相沉积法(CVD)
拉曼光谱
光致发光光谱
场效应晶体管
磁光 光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 5, 页码: 589-593
作者:
祁镇
;
盛锋锋
;
朱亮
;
杨建荣
;
陈熙仁
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/11/20
CdZnTe单晶
磁光光致发光光谱
应力
轻空穴
In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 0216002-1-0216002-8
作者:
玛丽娅
;
郭旗
;
艾尔肯
;
李豫东
;
李占行
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/12/02
辐射
损伤
光致发光谱
量子阱
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
作者:
玛丽娅
;
李豫东
;
郭旗
;
艾尔肯
;
王海娇
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/09/10
In0.53Ga0.47As/In P
量子阱
电子束辐照
光致发光谱
新型聚集荧光增强芴衍生物的光谱特性及电致发光性能研究
期刊论文
OAI收割
光谱学与光谱分析, 2013, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 935-939
作者:
马柱
;
于军胜
;
江龙峰
;
董首成
;
李振
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/11/23
芴衍生物
光致发光光谱
四苯基苯官能团
晶态聚集
有机电致发光器件
2.9μm新型发光材料Yb,Ho共掺钽酸盐的结构与光谱特性
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42
作者:
窦仁勤
;
张庆礼
;
杨华军
;
罗建乔
;
孙敦陆
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2023/11/10
tantalate
solid state method
photoluminescence
diffuse reflection spectrum
钽酸盐
固相法
光致发光
漫反射光谱
AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文)
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 05, 页码: 519-524
作者:
陈一仁
;
孙晓娟
;
黎大兵
;
宋航
;
蒋红
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/11
a-AlGaN
AlN插入层
应力
拉曼光谱
光致发光
In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2011, 期号: 10
作者:
张锦平
;
周桃飞
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/09/17
材料
InGaN/GaN
扫描透射电子显微术
光致发光光谱
带填充