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• 微电子研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 124-127 作者:  连军;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26 绝缘体上硅  全耗尽  互补金属氧化物半导体   双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 35-40 作者:  毕津顺;  吴峻峰;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 双栅结构  动态阈值  全耗尽绝缘体上硅  Nmos场效应晶体管