机构

• 微电子研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2015 [1]
• 2009 [1]
• 1994 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2015, 期号: 11, 页码: 48-52 作者:  陈婷婷;  顾牡;  于怀娜;  刘小林;  黄世明 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/06/06 电化学刻蚀  多孔硅阵列  形貌  孔径调控  模板引导  X射线转换屏   硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732 作者:  万里兮;  吕垚;  李宝霞   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/06/01 Icp  硅刻蚀  深槽刻蚀  刻蚀形貌  刻蚀速率  选择比   SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究 期刊论文  OAI收割 微细加工技术, 1994, 期号: 04 姜建东; 孙承龙; 王渭源; 王德宁 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 反应离子刻蚀  各向异性深刻蚀硅  聚合物掩蔽膜  蚀刻速率  蚀刻形貌