机构

• 微电子研究所 [3]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2008 [3]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  杨圣   |  收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2021/08/27 SiC功率MOSFET  电离总剂量效应  高功率  开关频率  长期可靠性   国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 3，613-615 作者:  刘刚;  蔡小五;  韩郑生;  陆江;  王立新   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27 Vdmos  总剂量  电离辐照  功率mosfet   一种抗辐照功率MOSFET器件 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4，1167-1170 作者:  王立新;  夏洋;  蔡小五;  刘刚;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/05/27 功率mosfet   星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2008, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 5，1125-1129 作者:  薛玉雄;  陆江;  蔡小五;  刘刚;  杨世宇   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/27 功率mosfet器件  单粒子烧毁  锎源