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福建物质结构研究所 [1]
上海光学精密机械研究... [1]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [3]
发表日期
2014 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1988 [1]
1986 [1]
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二维半导体超快非线性光学性质研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2014
作者:
王康鹏
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提交时间:2016/11/28
非线性光学
二维半导体材料
Z扫描
过渡金属硫系化合物
碲
硫属化合物纳米半导体材料的合成及性能研究
学位论文
OAI收割
硕士, 福建物质结构研究所: 中国科学院福建物质结构研究所, 2007
吴科俊
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提交时间:2013/05/09
纳米半导体
纳米结构
纳米材料
硫属化合物
光学性质
溶剂热合成
金属间化合物Mg2Si的研究进展
期刊论文
OAI收割
材料导报, 2005, 卷号: 019
作者:
熊伟
;
秦晓英
;
王莉
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/10/26
Mg2Si
金属间化合物
研究进展
半导体热电材料
发展前途
结构材料
基本性质
制备工艺
研究方向
增强相
GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院上海冶金研究所 , 2000
彭鹏
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提交时间:2012/03/06
异质结双极型晶体管
分子束外延
化合物半导体
材料
化合物半导体及其应用
期刊论文
OAI收割
功能材料, 1988, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 34-39
李春鸿
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2012/06/13
场效应管
禁带宽度
液封直拉法
红色发光二极管
晶体生长
电子迁移率
制备方法
位错缺陷
大规模集成电路
化合物半导体材料
稀土酞菁化合物的研究 Ⅰ.稀土单酞菁配合物的合成及其性质
期刊论文
OAI收割
化学学报, 1986, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 509-512
庄文德
;
倪嘉缵
;
徐宏恩
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提交时间:2012/06/14
计算值
酞菁配合物
酞菁化合物
固相反应
稀土元素
电致变色
有机半导体材料
分析结果
合成
邻二氰基苯
合成稀土复合硫化物的新方法
期刊论文
OAI收割
化学通报, 1984, 期号: 2, 页码: 18-19
杜有如
;
唐功本
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提交时间:2012/06/15
化合物
非线性光学
稀土复合氧化物
光学性质
半导体材料
薄膜太阳能电池
晶胞常数
合成方法
发光二极管
复合硫化物
用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布
期刊论文
OAI收割
光谱学与光谱分析, 1983, 期号: 03
叶汝求
;
江锦恒
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/04/19
化合物半导体材料:4197
深度分布:4092
外延层:3883
阳极氧化:3866
原子比:3093
化学腐蚀:2690
发射光谱法测定:2607
氧化膜:2192
多层结构:1968
取样:1819