机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1875-1880 作者:  吴峻峰;  钟兴华;  李多力;  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽soi  半背沟道  击穿  翘曲效应