机构

• 微电子研究所 [34]
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• 新疆理化技术研究所 [13]
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采集方式

• OAI收割 [71]

内容类型

• 期刊论文 [48]
• 学位论文 [13]
• 专利 [5]
• 会议论文 [5]

发表日期

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学科主题

• 微电子学 [7]
• 微电子学与固体电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共71条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069 作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/03/19 总剂量效应  绝缘体上硅  体效应  浅沟槽隔离   空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  马腾   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/06 金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿   质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割 现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4 作者:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/07/20 辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi   γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/10/18 场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线   总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249 作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2016/06/02 绝缘体上硅  电离辐射  热载流子   电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398 作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/06/26 绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声   0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   一种半导体结构及其制造方法 专利  OAI收割 申请日期: 2012-04-28, 作者:  朱慧珑;  尹海洲   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/30 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 专利  OAI收割 专利号: CN200810116043.0, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-06 作者:  韩郑生;  毕津顺;  宋文斌   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26