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机构
微电子研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2005 [1]
2004 [1]
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高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4,88-91
作者:
邵刚
;
刘新宇
;
和致经
;
刘键
;
魏珂
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan Hemt
微波功率
单位截止频率
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 381-384
作者:
吴德馨
;
陈晓娟
;
邵刚
;
刘新宇
;
和致经
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan
Hemt
微波功率
单位截止频率