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岩石标准物质及化学风化过程中的Ti同位素分馏研究 会议论文 OAI收割
中国陕西西安, 2017-04-18
作者: 王樵珊; 马金龙; 韦刚健

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同位素标准物质标准参考物质计量标准样品宇宙化学同位素组成岩石 Ti 分馏精馏

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

ICP-MS技术测定生物样品中重金属的前处理方法研究 期刊论文 OAI收割
环境化学, 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 99-100
梁立娜; 李中阳; 陈登云; 何滨; 江桂斌

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生物样品 ICP-MS技术处理方法研究消解过程电感耦合北京化工厂优级纯参考值标准参考物质空白值

4.7 微堆超热仪器中子活化法 期刊论文 OAI收割
中国原子能科学研究院年报, 1995, 期号: 0, 页码: 134-135
作者: 王珂; 张永保; 侯小琳

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中子活化法生物利用度标准参考物质核技术应用超热中子环境样品动物组织肺癌病人鼠脏器滞留量

X射线荧光光谱透明胶带薄样法测定土壤中的主量元素 期刊论文 OAI收割
光谱实验室, 1992, 卷号: 9, 期号: 1-2, 页码: 89-91
张启超; 贺春福; 任红星

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荧光强度土壤样品薄样法环境监测主量元素水系沉积物透明胶带法测定参考值参考样品

X射线荧光光谱测定土壤和水系沉积物中的主元素和痕量元素 期刊论文 OAI收割
环境化学, 1988, 期号: 4, 页码: 34-38
作者: 王庆广

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水系沉积物痕量元素 X射线荧光光谱主元素西藏影响系数标准参考物经验系数法标准样品散射内标

用中子活化法研究元素在海洋体系中的富集系数与停留时间的相关性 期刊论文 OAI收割
科学通报, 1985, 期号: 15, 页码: 1193-1195
作者: 柴之芳; 毛雪瑛; 马淑兰

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中子活化法富集系数停留时间岩心样品标准参考物质时间值中子活化分析实验方法钙质软泥浓度值

火花源质谱法分析绝缘晶体 期刊论文 OAI收割
质谱学报, 1985, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 1-10
隋喜云; 董兆权; 王子树; 顾浩; 李德林

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离子流强度比杂质元素方法研究人工晶体曝光量晶体片铝电极参考样品

X射线荧光光谱法测定河流沉积物中镍、锌、锶、铁的含量 期刊论文 OAI收割
环境科学丛刊, 1984, 期号: 3, 页码: 60-64
姜兆春,王庆广,黄衍初

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河流沉积物:7337 X射线荧光:4500 光谱法测定:2809 分析元素:2633 散射辐射强度:2151 标准参考样:1332 燃煤飞灰:1267 标准曲线:1032 体效应:1015 环境样品:980

用正电子湮没技术研究形变铁的恢复 期刊论文 OAI收割
物理学报, 1982, 期号: 1, 页码: 126-131
曹玔,王蕴玉,熊兴民,熊良钺,姜健

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形变:5384 正电子湮没技术:4904 正电子湮没寿命:4465 捕获速率:2575 退火温度:2552 多普勒加宽:2545 参考样品:1534 s参数:1453 缺陷浓度:1245 自由迁移:1169