机构

• 微电子研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

_filter

_filter

_filter

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4，71-74 作者:  海潮和;  韩郑生;  钱鹤;  赵洪辰   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  总剂量辐照  氮化h2-o2  合成栅介质  H型栅   一种抗总剂量辐照的NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 578-580 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  总剂量辐照  氮化h2-o2合成栅介质  C型体接触   首页 上一页 1 下一页 末页