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基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征 学位论文 OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 荣梓清

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由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移 D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙且分子偶极矩较大分子间相互作用较强利于获得高的载流子迁移率因此 D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面稠环分子由于具有刚性平面的构型重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此本文以二噻吩并[2 3-b:7 6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3 2-b:6 7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物并且对它们的光物理性质电化学性质载流子传输和光伏特性进行了系统研究主要成果和创新点如下：（1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2) 它们均是无定形聚合物。尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。通过理论模拟可以发现两个聚合物骨架构象完全不同 P(BT-C1)的骨架较为弯曲而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高达到5.4×10-3 cm2V-1s-1 而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右因此基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1) 而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多均在5%左右。（2）以C2为给体单元 BT和二氟代BT为受体单元合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比 P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性 HOMO能级升高光谱红移。在BT单元上引入F原子后聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV 同时帯隙变窄。理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低 PCE均小于2%。

宁波材料所有机太阳电池研究取得重要进展 期刊论文 OAI收割
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 202
宁波材料所

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有机太阳电池 Photonics conjugated electrolyte 国际学术期刊电池研究光电转换效率器件研究有机光电 Nature

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

纳米器件研究登上新的台阶——若干纳米器件及其基础研究 期刊论文 OAI收割
中国科学院院刊, 2007, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 418-420
作者: 刘佩华

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纳米器件基础研究

氟磷酸盐玻璃的应用研究进展 期刊论文 OAI收割
激光与光电子学进展, 2005, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 12, 16,41
张军杰; 何冬兵; 段忠超; 张丽艳; 戴世勋; 胡丽丽

收藏 | 浏览/下载：1310/225 | 提交时间：2009/09/24

氟磷酸盐玻璃应用研究进展光学玻璃材料光纤激光器上转换发光光纤放大器研究热点热学性能光学性能玻璃系统光学器件激光玻璃基质材料磷玻璃高功率 fluorophosphate glass laser glass upconversion luminescence

GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究 学位论文 OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2004
李冰寒

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器件研究:5515 材料生长:5412 量子阱结构:2950 应变量子阱:2655 GaAs:2332 集电结:2272 GaSb:2272 AlGaInP:1893 欧姆接触:1812 峰值波长:1375

SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究 会议论文 OAI收割
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会, 2003
林青; 朱鸣; 吴雁军; 张正选; 林成鲁

收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/18

热载流子效应模拟研究 SOI MOS器件器件模拟

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体发光和激光研究进展 会议论文 OAI收割
中国北京
 范希武

收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2013/03/19

半导体激光器:6568 研究进展:3109 激光器件:3091 光存储:2632 光处理:2526 蓝绿色:2404 宽带隙:2312 光通信:2286 绿色激光:2123 聚合物:1854

掺铒玻璃发光动力学过程研究 会议论文 OAI收割
中国北京
作者: 骆永石; 张家骅

收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2013/03/19

掺铒玻璃:4790 发光动力学:4109 激光器件:3175 动力学过程:2963 过程研究:2782 红外光通信:2757 铒离子:2675 紫外波段:2579 发光效率:2486 发光性能:2440

高亮度、长寿命彩色电致发光材料的研究 会议论文 OAI收割
中国北京
 郑岩; 常微; 汪洋

收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2013/03/19

高亮度:5557 长寿命:4339 器件应用:3157 表面状态:2716 中粒度:2607 核心部分:2605 化学合成:2515 持久性:2243 技术指标:2041 研究工作:1951