机构

• 上海技术物理研究所 [4]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 学位论文 [3]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2016 [1]
• 2008 [2]
• 2005 [2]

学科主题

• 红外探测材料与器件 [2]
• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2016, 卷号: 45 作者:  何秋湘;  李京伟;  孙继飞;  白枭龙;  熊震   |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/11/25 位错  少子寿命  多晶硅  定向凝固   HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  魏青竹   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  电学性质  少子寿命   可调谐超短脉冲激光器在碲镉汞光伏探测器中的应用研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  崔昊杨   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/08/22 皮秒脉冲激光  Hgcdte光伏探测器  Schottky势垒  少子寿命  双光子吸收   位错对碲镉汞器件影响的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  王妮丽   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 位错  少子寿命  复合   HgCdTe的位错及其对器件性能影响的研究 期刊论文  OAI收割 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5-12 作者:  王妮丽   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/11/14 位错  探测率  R_0a  少子寿命  退火