机构

• 金属研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 133-135 闫鹏飞; 隋曼龄 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/04/12 氮化镓  位错  带状缺陷  拉应力   AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广州, 2008-11-30 闫鹏飞; 隋曼龄 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/08/21 氮化镓异质结  化学气相沉积法  蓝宝石衬底  紫外光发光二极管  位错滑移  带状缺陷  发光性能