中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
微电子研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,69_72
作者:
濮林
;
龙世兵
;
刘明
;
郑有炓
;
陈杰智
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/05/26
单电子晶体管
库仑阻塞
库仑振荡
负微分电导
纳电子器件的少电子输运性质及应用
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 427-431
作者:
刘明
;
陈杰智
;
施毅
;
濮林
;
郑有炓
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/05/26
纳电子器件
少电子输运
库仑阻塞
近藤效应
金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 5,1323-1327
作者:
张立辉
;
李志刚
;
康晓辉
;
谢常青
;
刘明
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/05/26
单电子晶体管
正统理论
库仑阻塞
量子隧穿