机构

• 微电子研究所 [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 283-290 作者:  陈宝钦;  徐秋霞;  钱鹤;  段晓峰;  刘海华   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/05/26 应变硅沟道   SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2005, 期号: 04 陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/07/04 应变  硅锗  卢瑟福背散射/沟道效应  高分辨率X射线衍射  拉曼谱