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浏览/检索结果: 共11条,第1-10条 帮助

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基于FPGA的绝对式圆感应同步器测角系统的设计与实现 期刊论文  OAI收割
红外, 2017, 期号: 8, 页码: 31-36
作者:  
王飞;  付晶;  韩昌佩
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2018/11/20
北京市基础设施与经济社会发展关系 中文期刊论文  OAI收割
2016
作者:  
史雅娟;  朱永彬;  黄金川;  Xiong, YM;  Guo, DL
收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2016/12/27
北京市基础设施与经济社会发展关系 中文期刊论文  OAI收割
2016
作者:  
史雅娟;  朱永彬;  黄金川
  |  收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2017/11/07
脉冲激光抽运铷原子钟研究 会议论文  OAI收割
第二届中国卫星导航学术年会, 中国上海, 2011
杜志静; 赵文宇; 刘杰; 刘丹丹; 张首刚
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2012/10/19
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
中断技术在车流量实时检测系统中的应用 期刊论文  OAI收割
控制工程, 2005, 期号: 03
韩冰; 李少远; 孙晓玮
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2012/01/06
真空感应炉充氩冶炼高氮Cr-Mn-Mo-Cu奥氏体不锈钢 期刊论文  OAI收割
特殊钢, 2004, 期号: 4, 页码: 13-15
任伊宾,杨柯,张炳春,杨慧宾,梁勇
收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2012/04/12
LIA注入器发射度增长机理研究及其抑制措施 期刊论文  OAI收割
高能物理与核物理, 2004, 期号: 9, 页码: 1002-1006
作者:  
代志勇;  国智元;  章林文
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2015/12/14
Fe-Cr-Mo系超纯铁素体不锈钢真空冶炼过程中的C-O反应与Si-O反应 期刊论文  OAI收割
钢铁, 1982, 期号: 2, 页码: 9-16
杨克努; 孙从熙; 沈加年
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/04/12