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干法灰化和湿法消解植物样品的铜锌铁同位素测定对比研究 期刊论文  OAI收割
地球学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 754-760
李世珍; 朱祥坤; 吴龙华; 骆永明
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/06
镍基单晶高温合金的电子探针定量分析方法研究 期刊论文  OAI收割
物理测试, 2009, 期号: 5, 页码: 22-25
王道岭; 孙爱芹
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/12
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
一种分离纯化组蛋白H4的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN200610047932.7, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2008-04-02
作者:  邢荣娥;  李鹏程;  于华华
收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2014/08/04
地下水中汞的赋存形式及其在地震监测中的应用 期刊论文  OAI收割
环境化学, 2002, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 205-206
康春丽; 朱祥岩; 邓守琴; 李海孝; 王保锁; 刘洪举; 宋晓冰
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/06/08
塔参1井深层有机质演化特征 会议论文  OAI收割
2001年全国沉积学大会, 中国武汉, 2001-10-16至2011-10-19
周世新; 王先彬
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/10/30