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超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5,651-655
作者:
钟兴华
;
吴峻峰
;
杨建军
;
徐秋霞
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收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/05/26
等效氧化层厚度
氮化硅/氮氧化硅复合叠层栅介质
高^
硼穿通
金属栅
a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2003, 期号: 04, 页码: 381-386
作者:
邓文渊
;
张家骅
;
孔祥贵
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/11
Er
氮氧化硅
光致发光
氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 1998, 期号: 01
祖继锋
;
余宽豪
收藏
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浏览/下载:25/0
|
提交时间:2012/03/29
K1 氮氧化硅
等离子体增强化学汽相淀积
热氮化
溅射
光波导
低压化学汽相淀积
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