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波长分离膜在多波长激光辐照下的损伤特性研究 学位论文 OAI收割
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2012
作者: 严磊

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波长分离膜，损伤形貌、阈值，同时辐照，节瘤

不同波长激光同时辐射波长分离膜损伤研究 学位论文 OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2010
作者: 周明

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波长分离膜损伤概率损伤i}}值激光预处理

Effect of multiple wavelengths combination on laser-induced damage in multilayer mirrors 期刊论文 OAI收割
optics express, 2009, 期号: 17, 页码: 20313
Zhou M(周明); Shao JD(邵建达); Fan ZX(范正修); Zhao YA(赵元安); Li DW(李大伟)

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三倍频分离膜激光损伤多个波长

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

时间监控离子束溅射沉积倍频波长分离膜 期刊论文 OAI收割
激光与红外, 2007, 期号: 4
袁宏韬; 张贵彦

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倍频波长分离膜时间监控双离子束溅射半波孔

全固态激光系统中高性能光学薄膜的研究 学位论文 OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2006
作者: 田光磊

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光学薄膜微结构退火双波长分离膜弱吸收损伤阈值

离子束溅射薄膜的光学和位相特性研究 学位论文 OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2005
作者: 黄建兵

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离子束溅射相位延迟膜波长分离膜单层膜损伤阈值面型误差表面吸附层和界面层

全固态激光器用光学薄膜的设计制备与性能研究 学位论文 OAI收割
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2005
作者: 马小凤

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全固态激光器减反膜倍频双波长分离膜半波孔激光损伤阈值

1064nm倍频波长分离膜的制备与性能研究 期刊论文 OAI收割
中国激光, 2005, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 835, 838
马小凤; 张东平; 王英剑; 范书海; 高卫东; 范正修; 邵建达

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薄膜 thin films 倍频波长分离膜 harmonic beam splitter 弱吸收 weak absorption 激光损伤阈值 laser-induced damage threshold

一种用于Yb：YAG激光器的波长分离膜的研制 期刊论文 OAI收割
强激光与粒子束, 2005, 卷号: 17, 期号: s1, 页码: 167, 170
张伟丽; 黄建兵; 赵元安; 邵建达; 范瑞瑛; 范正修

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波长分离膜损伤阈值膜系 Yb:YAG激光器