机构

• 近代物理研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 电子、电信技术::激... [1]
• 电子、电信技术::激... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 张理嫩 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2014/06/04 II-VI族半导体  分子束外延  离子注入  计算模拟  p型掺杂   稀土掺杂光学增益器件的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 严昆仑 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/05/30 大功率Yb离子掺杂光纤放大器  光纤吸收特性  光纤热效应  离子注入  Er离子掺杂硫系玻璃薄膜   硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘波; 宋志棠; 封松林; Bomy Chen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/18 Ge2Sb2Te5 硅离子注入 硅掺杂 电阻性能 薄膜结构   Si中掺杂原子的瞬间增强扩散现象及抑制方法 期刊论文  OAI收割 原子核物理评论, 2001, 卷号: 2001, 期号: 03, 页码: 164-168 刘昌龙   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/10/29 注入掺杂  瞬间增强扩散  单晶si  高能重离子   离子注入对C_(60)薄膜结构的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 1999, 期号: 07 姚江宏; 许京军; 张光寅; 邹云娟; 陈光华; 杨茹; 金永范   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/23 离子注入:7880  电子能损:3262  薄膜结构:2827  核能损:2411  注入剂量:2390  非晶碳化:2350  剂量阈值:805  氮离子注入:803  激发态:747  掺杂效应:588