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长春光学精密机械与物... [1]
高能物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1995 [1]
1986 [1]
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液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器
期刊论文
OAI收割
光学学报, 1995, 期号: 10, 页码: 1288-1291
任大翠
;
李含轩
;
薄报学
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提交时间:2013/03/11
液相外延生长
分别限制双异质结构LDs
超薄有源层
GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 1986, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
熊兴民
收藏
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提交时间:2015/12/25
晶体生长
正电子湮没
生长晶体
熔体生长
电子陷阱
晶体缺陷
液相外延生长
单晶生长
空位缺陷
元素半导体