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钪资源现状及溶剂萃取在钪提取过程中的应用研究进展 期刊论文 OAI收割
过程工程学报, 2020, 卷号: 20.0, 期号: 008, 页码: 877
作者: 孙帅; 孙宏骞; 宋静; 曲景奎; 齐涛

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钪资源湿法冶金提取工艺萃取供需现状

稀土清洁冶金工艺及钍纯化技术研究 学位论文 OAI收割
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 王艳良

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稀土钍分离纯化工艺湿法冶金

含砷难处理金精矿的催化氧化酸浸(COAL)新工艺开发 期刊论文 OAI收割
黄金科学技术, 2013, 期号: 05, 页码: 113-116
夏光祥; 段东平; 周娥; 陈思明; 李婷; 王明涌; 李学强; 徐忠敏; 路良山

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含砷金精矿湿法冶金催化氧化酸浸工艺

含砷难处理金精矿的催化氧化酸浸（CoAL）新工艺开发 期刊论文 OAI收割
黄金科学技术, 2013, 卷号: 21.0, 期号: 005, 页码: 113
作者: 夏光祥; 段东平; 周娥; 陈思明; 李婷

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含砷金精矿湿法冶金催化氧化酸浸工艺

ABS树脂湿法挤出工艺及其力学性能的研究 期刊论文 OAI收割
中国塑料, 2011, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 55-59
牛秋生; 刘振国; 徐刚; 张会轩; 杨海东

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丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂湿法挤出工艺力学性能

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究 会议论文 OAI收割
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2008
曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生

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垂直腔面发射激光器选择性湿法腐蚀隧道结结构 InAlAs材料增益谱峰值孔径工艺

锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究 学位论文 OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2005
洪婷

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锑化物:6396 电化学:3621 探测器:3549 刻蚀速率:3514 刻蚀工艺:2688 气体组分:2114 多量子阱激光器:1896 技术研究:1713 腐蚀液:1361 湿法:966

白钨矿添加磷酸盐苛性碱浸取的热力学分析 期刊论文 OAI收割
化工冶金, 1987, 期号: 03, 页码: 1-6
作者: 吴建国; 柯家骏

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热力学分析湿法冶金热力学计算碱性溶液钨矿物工艺研究溶液化学酸浸钨酸钙转移反应

高钙黑钨精矿中钙对钨浸取的影响及湿法处理新方法的研究 期刊论文 OAI收割
应用化学, 1987, 期号: 03, 页码: 25
作者: 龚建平

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钨精矿湿法处理钨矿物钨化合物高钙浸出率细颗粒我国华南地区钨酸钙工艺条件