机构

• 力学研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 1984 [1]
• 1982 [1]
• 1980 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 横流CO_2激光器的二维增益分布 期刊论文  OAI收割 中国激光, 1984, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 257-262 作者:  陈丽吟;  楚泽湘;  陈海韬 收藏  |  浏览/下载：1082/123  |  提交时间：2009/08/03 横流CO_2激光器  增益分布  正柱区  碰撞弛豫  放电区  放电模型  电激励  电功率  电子迁移速率   用正电子湮没技术研究形变铁的恢复 期刊论文  OAI收割 物理学报, 1982, 期号: 1, 页码: 126-131 曹玔,王蕴玉,熊兴民,熊良钺,姜健 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/12 形变:5384  正电子湮没技术:4904  正电子湮没寿命:4465  捕获速率:2575  退火温度:2552  多普勒加宽:2545  参考样品:1534  s参数:1453  缺陷浓度:1245  自由迁移:1169   GaAs气相掺杂外延的研究 期刊论文  OAI收割 金属学报, 1980, 期号: 03 彭瑞伍; 孙裳珠; 沈松华 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/19 生长速率:6588  表面形貌:5167  电子迁移率:3596  晶向:2241  衬底温度:1561  掺杂方法:1412  实验点:1391  文献:1376  杂质分布:1373  击穿电压:1332