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• 微电子研究所 [2]
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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2012 [2]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 一种高电源抑制比的LDO电路设计 期刊论文  OAI收割 长春理工大学学报(自然科学版), 2012, 期号: 02, 页码: 118-121 作者:  王磊;  许博谦 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/03/11 LDO  高电源抑制比  瞬态响应   高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2012, 期号: 1, 页码: 34-37 胡佳俊; 陈后鹏; 蔡道林; 宋志棠; 周桂华 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2013/02/22 带隙基准源  负反馈  电源抑制比  BiCMOS   THD改善的D类音频功放 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 4，594-597 作者:  黄武康;  林福坚;  周长胜;  袁国顺   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/06/01 D类放大器  脉冲宽度调制  总谐波失真  双环反馈  电源抑制比   采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 192-196 刘珂; 杨海钢; 尹韬 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/19 带隙基准源  电压基准源  电源抑制比  温度补偿   Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的光学特性 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2007, 期号: 08 王擎雷; 吴惠桢; 斯剑霄; 徐天宁; 夏明龙; 谢正生; 劳燕锋 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/01/06 带隙  电压源  温度系数  电源抑制比  互补金属氧化物半导体   一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 697-700 作者:  金湘亮;  计峰;  陈杰;  马建斌   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 带隙基准电压源  Cmos工艺  宽温度范围  电源抑制比  电路版图  传感器芯片  输出电压  温度系数