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碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:88/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2021, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
蔡娇1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
陆妩1,2,3
;
于新2,3
;
王信2,3
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/05/21
双极运算放大器
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1635-1640
作者:
王利斌
;
姚帅
;
陆妩
;
王信
;
于新
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/10/09
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
双极电压比较器
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283
作者:
王涛1,2,3
;
王倩1
;
何承发2,3
;
荀明珠2,3
;
买买提热夏提·买买提1
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/12/15
电离总剂量效应
平衡材料
电流增益
次级电子平衡
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
OAI收割
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
赵京昊
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提交时间:2019/07/15
电离总剂量辐射
热载流子效应
栅氧经时击穿
负偏置温度不稳定性