中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [13]
国家空间科学中心 [1]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
期刊论文 [10]
学位论文 [4]
发表日期
2021 [3]
2020 [1]
2019 [2]
2016 [3]
2015 [2]
2010 [1]
更多
学科主题
空间环境 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:88/0
  |  
提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283
作者:
王涛1,2,3
;
王倩1
;
何承发2,3
;
荀明珠2,3
;
买买提热夏提·买买提1
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2020/12/15
电离总剂量效应
平衡材料
电流增益
次级电子平衡
3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
作者:
张翔
;
李豫东
;
郭旗
;
文林
;
周东
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:172/0
  |  
提交时间:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器
3MeV质子
固定模式噪声
位移效应
电离总剂量效应
γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
郭旗
;
文林
;
周东
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/09
图像传感器
CMOS
满阱容量
电离总剂量效应
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
王帆
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:161/0
  |  
提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
测试方法
辐射效应
电离总剂量效应
位移损伤效应
Rts噪声
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:102/0
  |  
提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2
作者:
王帆
;
李豫东
;
郭旗
;
汪波
;
张兴尧
;
文林
;
何承发
;
郭旗
;
何承发
;
李豫东
;
文林
收藏
  |  
浏览/下载:101/0
  |  
提交时间:2016/03/01
互补金属氧化物半导体图像传感器
电离总剂量效应
钳位二极管
满阱容量
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
文林
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:113/0
  |  
提交时间:2015/06/15
电荷耦合器件
电离总剂量效应
位移效应
损伤机理
敏感参数
基本单元