机构

• 微电子研究所 [3]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 用于急性心肌梗死标志物检测的GaAs HEMT 生物传感器的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  罗佳明 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2018/05/23 砷化镓高电子迁移率晶体管  生物传感器  心肌肌钙蛋白  微小核糖核酸   0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4，1801-1803,1807 作者:  刘会东;  张海英;  孙肖磊;  陈普峰   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/05/27 微波单片集成电路  宽带  数字衰减器  砷化镓  赝配高电子迁移率晶体管   带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2008, 卷号: 36, 期号: 12, 页码: 4，2454-2457 作者:  张海英;  张健;  李志强   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/27 砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管 电阻性混频器  小型化balun  集总-分布式   一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 9-11,109 作者:  和致经;  张海英;  李海鸥;  尹军舰;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/05/26 膺配高电子迁移率晶体管  欧姆接触  退火  砷化镓