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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光学浮区法制备定向生长Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金 期刊论文  OAI收割 材料热处理学报, 2014, 期号: 9, 页码: 45-48 胡轶嵩; 金浩; 刘荣华; 崔玉友; 线全刚; 杨锐 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/01/15 Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金  光学浮区炉  引晶生长  硅化物   金属诱导晶化多晶硅薄膜及作为薄膜晶体管的特性研究 学位论文  OAI收割 博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2014 彭尚龙 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/08/14 多晶硅薄膜  Ni诱导晶化  硅化物诱导晶化  薄膜晶体管   SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   析出相对Ti60钛合金蠕变和持久性能的影响 期刊论文  OAI收割 材料研究学报, 2009, 期号: 1, 页码: 1-5 赵亮; 刘建荣; 王清江; 杨锐 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/12 金属材料  Ti60  高温钛合金  硅化物  高温蠕变   镍硅化物工艺新进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 5，824-828 作者:  尚海平;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/06/01 自对准硅化物  一硅化镍  Mosfet  Ir   SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  　含有硅化物埋层的SOI材料  　SiGe HBT  　三维电路　   Ti-22Al-26Nb-0.5Si合金中硅化物的结构特征 会议论文  OAI收割 第十三届全国钛及钛合金学术交流会, 洛阳, 2008-09-15 杨超; 卢斌; 杨锐 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/08/21 硅化物  结构特征  取向关系  钛合金   Ti-60A合金中的硅化物及原始β晶粒尺寸控制研究 学位论文  OAI收割 硕士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008 赵亮 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2012/04/10 高温钛合金  Ti-60A  硅化物  高温蠕变  持久  晶粒度  尺寸分布   新型金属源／漏工程新进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 6，524-529 作者:  尚海平;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 Mosfet  短沟道效应  金属源／漏  金属硅化物 肖特基势垒调节  肖特基势垒源／漏   源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件