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• 微电子研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 下一代栅材料—难熔金属 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2007, 期号: 2 作者:  周华杰;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/05/26 金属栅  难熔金属  多晶硅栅耗尽效应 硼穿通   超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，651-655 作者:  钟兴华;  吴峻峰;  杨建军;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮化硅／氮氧化硅复合叠层栅介质  高^  硼穿通  金属栅